“晶圆研磨”又名“晶圆减薄”，主要就是通过背面打磨将晶圆厚度控制在一定范围内。主要目的是为了满足后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度、散热性和尺寸要求等条件。

此阶段使用的金刚石砂轮磨粒较粗，每转进给量大，单颗磨粒的切深大于临界切削深度。是典型的脆性域磨削。

采用相对较大的进给速度，主要为提高加工效率，这个阶段占总减薄量的94%左右。不过在这个过程会引起较大的晶格损伤与边缘崩边。

此阶段使用的金刚石砂轮磨粒较细，每转进给量小，一部分部分磨粒的切深度小于临界切削深度。属于延性域切削。另一部分的切深大于临界切削深度，属于脆性域磨削。

采用较低的进给速度，主要用于消除前阶段粗磨产生的损伤，崩边等现象，占总磨削量的6%。

• 晶圆厚度一致性要求

• 晶圆表面损伤层厚度（SSD）要求

• 晶圆表面粗糙度要求

• 晶圆表面厚度偏差TTV值要求

• 晶圆厚度精度及超薄化能力要求

• 晶圆完整性

晶圆的完整性主要表现在晶圆无破损上

在晶圆研磨过程中，会有许多造成晶圆破碎的因素存在，如何减小破损产生的机率，需要从现象出发去寻找原因。

1、沿磨痕方向碎裂。

“磨痕”指的就是晶圆片背面的磨痕。这种类型的破损发生在这个磨痕上。

2、沿晶圆纹路碎裂。

裂纹沿晶体方向呈线性发生。少数情况下，断裂不沿晶体取向发生，但这种类型的断裂通常以线性裂纹为特征。

3、不规则破损。

指如图所示的与晶体取向和锯痕无关的裂纹，或晶圆片分成几片的情况。

沿磨痕断裂主要是由于砂轮排屑槽堵塞等磨削缺陷造成的。当砂轮与脱落的磨料颗粒磨削时，会导致晶圆片的高应变而导致断裂。在最近的趋势中，当晶圆片有很厚的氧化膜时，沿磨痕的断裂经常发生。

这可能是由于晶片与z1轴砂轮不匹配(用于粗磨削)，即z1轴砂轮磨削能力不足，因此更换磨削能力更强的砂轮是防止破碎更有效的方法之一。

特别是当细光面磨削到200μm或更小的时候，由3或4因素造成的破碎的可能性增加了。

主要因素及对策：

因素1：Z1-轴砂轮磨削能力不足(粗磨削)（在研磨带有厚厚的氧化膜等的晶圆片时）

对策：更换研磨功率更高的砂轮类型(例如，选择更大的粒度，选择研磨功率更高的粘结剂)

因素2：砂轮与轮座之间漏水导致的磨削缺陷。

对策：检查轮座安装表面，如有异物，应排除。

因素3：由于砂轮排屑槽堵塞而导致的磨削缺陷。

（在细磨过程中，未切割的胶带或切割的碎片容易与砂轮接触，从而夹在砂轮的齿间，可能导致排削槽堵塞。）

对策：清除排屑槽内异物或更换砂轮。

因素4：由于在晶片边缘拖动晶片裂纹而造成的磨削缺陷。（在薄面磨削过程中，晶圆边缘容易出现裂纹。在加工过程中，碎裂的碎片可能夹在砂轮和晶圆之间）

对策：调整(减少)轮冷却液的流量。

主要因素及对策：

在沿晶方向发生断裂的情况下，断裂通常不是由砂轮引起的，主要是由于外来物质（通常指磨屑）引起，常见影响因素如及对策下表所示：

主要因素及对策