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Macom专注提升GaN-on-SiC产能
发布时间:2025-07-29 点击数:185

美国时间7月25日,MACOM宣布已全面接管其收购的,位于北卡罗来纳州三角研究园的晶圆厂的运营。该晶圆厂被称为“RTP 工厂”,于2023年底从Wolfspeed公司购得,该晶圆厂专注于生产用于射频功率器件和单片微波集成电路(MMICs)的GaN-on-SiC工艺技术。其产品主要应用于电信系统基础设施和国防电子领域。


Macom是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国马萨诸塞州洛厄尔市,分支机构覆盖美国、欧洲和亚洲。Macom专注于高性能模拟射频、微波、毫米波及光子集成电路的研发与生产,其产品广泛应用于通信、汽车电子、航空航天等领域。


Macom的核心技术集中在模拟射频、微波及光子集成电路领域,尤其在无线通信和光纤通信系统中发挥关键作用。其产品如功率放大器、低噪声放大器等,能显著提升信号传输速度和稳定性,满足5G基站、卫星通信等高带宽需求场景。光子集成电路技术则支持数据中心和长距离光纤网络的高效运行。


Macom通过收购ENGIN-IC和Wolfspeed射频业务,强化了在氮化镓(GaN)技术领域的布局。ENGIN-IC的GaN MMIC技术增强了其在射频功率器件市场的竞争力,而Wolfspeed的射频业务则拓展了其在国防、航空航天等领域的应用场景。


从衬底材料来看,氮化镓器件主要有四种类型,分别是硅基氮化镓(GaN-on-Si)、蓝宝石基氮化镓(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)、氮化镓基氮化镓(GaN-on-GaN)。硅衬底成本仅为碳化硅的1/10,且可直接利用现有8英寸硅晶圆产线,硅基氮化镓(GaN-on-Si)因此成为最具成本优势的技术路线。目前市面上主要的GaN器件企业都采用了GaN-on-Si技术方案。