晶圆经过背面研磨减薄后，经由背面蒸镀金属，切片加工而成的芯片将在器件热阻降低、工作散热和冷却、封装厚度减薄等各个方面实现很大的改善。

在晶圆背面金属化过程中，一般选择钛、镍、银作为三层背面金属，厚度在10μm以内。

通常，切割的晶圆的质量标准是：如果背面碎片的尺寸在10µm以下，忽略不计，当尺寸大于25µm时，可以看作是潜在的受损，50µm的平均大小可以接受。当然，具体切割要求也要根据晶圆的厚度来定。

晶圆背面金属化的主要目的是使接触电极形成良好的欧姆接触，经过背面金属化的芯片具有饱和压降小、焊接可靠、通态源漏电阻小、散热性好、工作能耗低等特点，常用于中小功率晶体管。

切片系统与刀片之间的协作是必要的，刀片在晶圆切片工艺优化中起着主要的作用。金刚石尺寸、金刚石含量和粘结剂的类型，是决定刀片特性的三个关键参数，决定着刀片的寿命和切削质量，改变任何一个这些参数都将直接影响刀片特性与性能。为一个给定的切片工艺选择最佳的刀片需要在刀片寿命与切削质量之间作出平衡。