从沙子到成品，一个芯片要经历三次被切割。

第一次切割是将硅锭切成硅片。

目前常规的切割方法主要有内圆切割和多线切割。内圆切割是利用内圆刃口边切割硅锭，但由于刀片高度旋转会产生轴向震动，刀片与硅片的摩擦力不断增加，可能会在硅锭上残留一些切痕甚至细小的裂隙。这样一来，切割结束后可能就发生硅片崩片甚至飞边的现象。

多线切割技术是当前进行硅片切割的主流技术。在多线切割机中，导轮的动力来源于发电机，其旋转可以有效的保障钢丝切割线的高速运行。切割线在导轮的带动下速度可达10m/s-20m/s。金刚线切割技术是未来相当长一段时间内主流的硅片切割技术。

第二次是将千锤百炼的晶圆片划切成极小的晶粒。

晶圆划片目前主要采用金刚石划片刀进行。早期，6英寸以下的晶圆大部分都使用了划片再掰开的切割法，现在则进行一次性切割，确保晶圆不受损坏。同时也有先切割、后减薄的切割方法。不管是哪种切割工艺，都需要用刀划片机和金刚石刀片。

除此以外，还有激光切割法，适用于晶圆厚度为100μm以下的晶圆。

第三次则是初级封装后进行分切，留待后用，或再进行多级封装，或进行入产品应用流程。到此，芯片才能算作一个成品，能真正发挥他奇妙的作用。